收藏本站
NTHD5903
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
600
C iss
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
Q g
11
10
500
4
9
8
400
C rss
3
7
6
300
200
100
C oss
2
1
Q gs
Q gd
I D = ?2.2 A
T J = 25 ° C
5
4
3
2
1
0
0
0
?12
?8
?4
0
?V GS ?V DS
4
8
12
16
20
0
1 2 3
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
4
GATE?TO?SOURCE OR DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
100
5
Figure 8. Gate?to?Source and
Drain?to?Source Voltage vs. Total Charge
V DD = ?10 V
I D = ?1.0 A
V GS = ?4.5 V
t d(off)
t f
4
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t r
10
1
t d(on)
3
2
1
0
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
2
1
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
Duty Cycle = 0.5
?V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
0.2
Notes:
PDM
1. Duty Cycle, D = t
2. Per Unit Base = R thJA = 90 ° C/W
0.1
0.01
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
t1
t2
t1
2
3. T JM ? T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
10 ?4
10 ?3
10 ?2
10 ?1
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (sec)
Figure 11. Normalized Thermal Transient Impedance, Junction?to?Ambient
http://onsemi.com
4
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NTHD5904NT1G MOSFET N-CHAN 3.3A 20V CHIPFET
NTHS2101PT1 MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET
NTHS4101PT1G MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET
NTHS4166NT1G MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
NTHS4501NT1G MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
NTHS5404T1G MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET
NTHS5441T1G MOSFET PWR P-CH 3.9A 20V CHIPFET
NTHS5443T1 MOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFET
相关代理商/技术参数
NTHD5904N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 20 V, 4.5 A, Dual N−Channel, ChipFET
NTHD5904N_05 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 20 V, 4.5 A, Dual N−Channel, ChipFET
NTHD5904NT1 功能描述:MOSFET 20V 4.5A Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTHD5904NT1G 功能描述:MOSFET 20V 4.5A Dual N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTHD5904NT3 功能描述:MOSFET 20V 4.5A Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTHD5904NT3G 功能描述:MOSFET 20V 4.5A Dual N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTHD5904T1 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 3.1A CHIPFET RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
NTHD5904T1/D 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET Dual N-Channel